ECH8601M-C-TL-H
ECH8601M-C-TL-H
Modèle de produit:
ECH8601M-C-TL-H
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18958 Pieces
Fiche technique:
ECH8601M-C-TL-H.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:-
Package composant fournisseur:8-ECH
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 4A, 4.5V
Puissance - Max:1.5W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:ECH8601M-C-TL-H
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Tension drain-source (Vdss):24V
La description:MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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