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EC3H02BA-TL-H
- Modèle de produit:
- EC3H02BA-TL-H
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19196 Pieces
- Fiche technique:
- EC3H02BA-TL-H.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 10V |
|---|---|
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | 3-ECSP1006 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 100mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 3-XFDFN |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 1dB @ 1GHz |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | EC3H02BA-TL-H |
| Gain: | 8.5dB |
| Fréquence - Transition: | 7GHz |
| Description élargie: | RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 100mW Surface Mount 3-ECSP1006 |
| La description: | TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 20mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 70mA |
| Email: | [email protected] |
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| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
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