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EC3A04B-3-TL-H
- Modèle de produit:
- EC3A04B-3-TL-H
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19591 Pieces
- Fiche technique:
- EC3A04B-3-TL-H.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Cutoff (VGS off) @ Id: | 180mV @ 1µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | 3-ECSP1006 |
| Séries: | - |
| Résistance - RDS (On): | 200 Ohm |
| Puissance - Max: | 100mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 3-XFDFN |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | EC3A04B-3-TL-H |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4pF @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Description élargie: | JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount 3-ECSP1006 |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 |
| Consommation de courant (Id) - Max: | 10mA |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0): | 1.2mA @ 10V |
| Email: | [email protected] |
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| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
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