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DTD743EETL
- Modèle de produit:
- DTD743EETL
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19738 Pieces
- Fiche technique:
- DTD743EETL.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 30V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | EMT3 |
| Séries: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | 4.7k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 4.7k |
| Puissance - Max: | 150mW |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | SC-75, SOT-416 |
| Autres noms: | DTD743EETLDKR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | DTD743EETL |
| Fréquence - Transition: | 260MHz |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
| La description: | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 115 @ 100mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
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