DTD543EETL
DTD543EETL
Modèle de produit:
DTD543EETL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18717 Pieces
Fiche technique:
DTD543EETL.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:EMT3
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-75, SOT-416
Autres noms:DTD543EETL-ND
DTD543EETLTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:DTD543EETL
Fréquence - Transition:260MHz
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
La description:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:115 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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