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DTD123TSTP
- Modèle de produit:
- DTD123TSTP
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14775 Pieces
- Fiche technique:
- DTD123TSTP.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 40V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | SPT |
| Séries: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | - |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 2.2k |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-72 Formed Leads |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | DTD123TSTP |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| La description: | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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