DTC124GKAT146
DTC124GKAT146
Modèle de produit:
DTC124GKAT146
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17507 Pieces
Fiche technique:
DTC124GKAT146.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SMT3
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Resistor - Base (R1) (Ohms):-
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:DTC124GKAT146-ND
DTC124GKAT146TR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:DTC124GKAT146
Fréquence - Transition:250MHz
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
La description:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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