DTB114ECT116
DTB114ECT116
Modèle de produit:
DTB114ECT116
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14088 Pieces
Fiche technique:
DTB114ECT116.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SST3
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):10k
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:DTB114ECT116TR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:DTB114ECT116
Fréquence - Transition:200MHz
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
La description:PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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