DTA113ZETL
DTA113ZETL
Modèle de produit:
DTA113ZETL
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14737 Pieces
Fiche technique:
DTA113ZETL.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:EMT3
Séries:-
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Resistor - Base (R1) (Ohms):1k
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-75, SOT-416
Autres noms:DTA113ZETL-ND
DTA113ZETLTR
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:DTA113ZETL
Fréquence - Transition:250MHz
Description élargie:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
La description:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:33 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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