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DMN2014LHAB-7
- Modèle de produit:
- DMN2014LHAB-7
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18889 Pieces
- Fiche technique:
- DMN2014LHAB-7.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | U-DFN2030-6 (Type B) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 800mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | DMN2014LHAB-7DITR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | DMN2014LHAB-7 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B) |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A |
| Email: | [email protected] |
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