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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur: | SSMini5-F4-B |
Séries: | - |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | 10k, 47k |
Resistor - Base (R1) (Ohms): | 10k, 22k |
Puissance - Max: | 125mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-665 |
Autres noms: | DMG963HD0R-ND DMG963HD0RTR |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 11 Weeks |
Référence fabricant: | DMG963HD0R |
Fréquence - Transition: | - |
Description élargie: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini5-F4-B |
La description: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |