DB155G
Modèle de produit:
DB155G
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE BRIDGE 600V 1.5A DB
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14862 Pieces
Fiche technique:
1.DB155G.pdf2.DB155G.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Inverse de crête (max):600V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.1V @ 1.5A
La technologie:Standard
Package composant fournisseur:DB
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Autres noms:DB155GGN
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Référence fabricant:DB155G
Description élargie:Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole DB
Type de diode:Single Phase
La description:DIODE BRIDGE 600V 1.5A DB
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1.5A
Email:[email protected]

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