CSD86330Q3D
Modèle de produit:
CSD86330Q3D
Fabricant:
La description:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13075 Pieces
Fiche technique:
CSD86330Q3D.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-LSON (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.6 mOhm @ 14A, 8V
Puissance - Max:6W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerLDFN
Autres noms:296-28216-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:25 Weeks
Référence fabricant:CSD86330Q3D
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 12.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Logic Level Gate
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Tension drain-source (Vdss):25V
La description:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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