CSD18543Q3AT
Modèle de produit:
CSD18543Q3AT
Fabricant:
La description:
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
quantité disponible:
16033 Pieces
Fiche technique:
CSD18543Q3AT.pdf

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSON (3.3x3.3)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:15.6 mOhm @ 12A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):66W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:296-45302-6
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:CSD18543Q3AT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 60V 12A (Ta), 60A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
La description:60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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