CSD18510KCS
Modèle de produit:
CSD18510KCS
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
16589 Pieces
Fiche technique:
CSD18510KCS.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):250W (Ta)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:3 Weeks
Référence fabricant:CSD18510KCS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:11400pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 40V 200A (Ta) 250W (Ta) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
La description:MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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