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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD17579Q3AT
CSD17579Q3AT
Modèle de produit:
CSD17579Q3AT
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12627 Pieces
Fiche technique:
CSD17579Q3AT.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1.9V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSONP (3x3.15)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.2 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.2W (Ta), 29W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:296-38463-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:CSD17579Q3AT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:998pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 20A (Ta) 3.2W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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