CSD16325Q5
Modèle de produit:
CSD16325Q5
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18751 Pieces
Fiche technique:
CSD16325Q5.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSON-CLIP (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 30A, 8V
Dissipation de puissance (max):3.1W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:296-24964-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:25 Weeks
Référence fabricant:CSD16325Q5
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 12.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):3V, 8V
Tension drain-source (Vdss):25V
La description:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:33A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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