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CSD13306W
- Modèle de produit:
- CSD13306W
- Fabricant:
- La description:
- MOSFET N-CH 12V 3.5A
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12082 Pieces
- Fiche technique:
- CSD13306W.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Séries: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.9W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | CSD13306W |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1370pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.2nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| La description: | MOSFET N-CH 12V 3.5A |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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