CS8312YDR8
Modèle de produit:
CS8312YDR8
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
15545 Pieces
Fiche technique:
CS8312YDR8.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Alimentation:7 V ~ 10 V
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:CS8312YDR8OS
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs:1
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:CS8312YDR8
Tension logique - VIL, VIH:-
Type d'entrée:Non-Inverting
Type de porte:IGBT, N-Channel MOSFET
Description élargie:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Configuration pilotée:Low-Side
La description:IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Current - Peak Output (Source, Évier):-
courant de charge:Single
Email:[email protected]

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