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CPMF-1200-S080B
- Modèle de produit:
- CPMF-1200-S080B
- Fabricant:
- Cree
- La description:
- MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19072 Pieces
- Fiche technique:
- CPMF-1200-S080B.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -5V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | Die |
| Séries: | Z-FET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Dissipation de puissance (max): | 313mW (Tj) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Die |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | CPMF-1200-S080B |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 20V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| La description: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 50A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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