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CP127-2N6301-CT
- Modèle de produit:
- CP127-2N6301-CT
- Fabricant:
- Central Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN DARL 80V 8A CHIP FORM
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15792 Pieces
- Fiche technique:
- CP127-2N6301-CT.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 3V @ 80mA, 8A |
| Transistor Type: | NPN - Darlington |
| Package composant fournisseur: | Die |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | Die |
| Autres noms: | CP1272N6301CT |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Référence fabricant: | CP127-2N6301-CT |
| Fréquence - Transition: | 4MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 8A 4MHz Surface Mount Die |
| La description: | TRANS NPN DARL 80V 8A CHIP FORM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 750 @ 4A, 3V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
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