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CAS325M12HM2
- Modèle de produit:
- CAS325M12HM2
- Fabricant:
- Cree
- La description:
- MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15408 Pieces
- Fiche technique:
- CAS325M12HM2.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 105mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | Module |
| Séries: | Z-REC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
| Puissance - Max: | 3000W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Module |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | CAS325M12HM2 |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1127nC @ 20V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) 3000W Module |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| La description: | MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 444A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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