Acheter C3D02065E-TR avec BYCHPS
Acheter avec garantie
C3D02065E-TR
- Modèle de produit:
- C3D02065E-TR
- Fabricant:
- Cree
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO252-2
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19735 Pieces
- Fiche technique:
- C3D02065E-TR.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour C3D02065E-TR, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour C3D02065E-TR par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.8V @ 2A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | TO-252-2 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | Z-Rec® |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | C3D02065E-TR |
| Description élargie: | Diode Schottky 650V 8A Surface Mount TO-252-2 |
| Type de diode: | Schottky |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO252-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 50µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 8A |
| Capacité à Vr, F: | 120pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes C3D02065E-TR
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
C3D02065E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2 | Enquête |
 |
C3D02060E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO252-2 | Enquête |
 |
C3D02060F | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2 | Enquête |
 |
C3D02060E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-2 | Enquête |
 |
VS-85HF120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB | Enquête |
 |
1N1190AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 | Enquête |
 |
C3D02060A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220-2 | Enquête |
 |
SGL41-40-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog