BSZ033NE2LS5ATMA1
BSZ033NE2LS5ATMA1
Modèle de produit:
BSZ033NE2LS5ATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13723 Pieces
Fiche technique:
BSZ033NE2LS5ATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TSDSON-8-FL
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta), 30W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:SP001288158
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:BSZ033NE2LS5ATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:18.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 25V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Tension drain-source (Vdss):25V
La description:MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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