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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 130µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-SOT223-4 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12 Ohm @ 260mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.8W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | BSP92P L6327 BSP92P L6327-ND BSP92PL6327INTR BSP92PL6327INTR-ND BSP92PL6327XT SP000089223 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | BSP92PL6327HTSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 104pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.4nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 250V 260mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Tension drain-source (Vdss): | 250V |
| La description: | MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 260mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |