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Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 108µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-SOT223-4 |
Séries: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 1.8W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
Autres noms: | BSP89H6327XTSA1-ND BSP89H6327XTSA1TR SP001058794 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
Référence fabricant: | BSP89H6327XTSA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.4nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 240V |
La description: | MOSFET N-CH 4SOT223 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 350mA (Ta) |
Email: | [email protected] |