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Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 400µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-SOT223-4 |
Séries: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 1.8W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
Autres noms: | BSP295 L6327 BSP295 L6327-ND BSP295L6327INTR BSP295L6327INTR-ND BSP295L6327XT SP000089210 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | BSP295L6327HTSA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 368pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
La description: | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |