BSC252N10NSFGATMA1
BSC252N10NSFGATMA1
Modèle de produit:
BSC252N10NSFGATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18831 Pieces
Fiche technique:
BSC252N10NSFGATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 43µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):78W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC252N10NSF G
BSC252N10NSF G-ND
BSC252N10NSF GTR
BSC252N10NSF GTR-ND
SP000379608
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:BSC252N10NSFGATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 7.2A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:7.2A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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