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BSC159N10LSF G
- Modèle de produit:
- BSC159N10LSF G
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16230 Pieces
- Fiche technique:
- BSC159N10LSF G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 72µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TDSON-8 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15.9 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 114W (Tc) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | BSC159N10LSF GDKR BSC159N10LSF GDKR-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | BSC159N10LSF G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 9.4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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