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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 35µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TDSON-8 |
Séries: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.6 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
Autres noms: | BSC076N06NS3 G BSC076N06NS3 G-ND BSC076N06NS3 GTR-ND BSC076N06NS3G SP000453656 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
Référence fabricant: | BSC076N06NS3GATMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4000pF @ 30V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 60V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
La description: | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |