BSC028N06LS3GATMA1
BSC028N06LS3GATMA1
Modèle de produit:
BSC028N06LS3GATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15258 Pieces
Fiche technique:
BSC028N06LS3GATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 93µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 139W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC028N06LS3 G
BSC028N06LS3 G-ND
BSC028N06LS3 GTR
BSC028N06LS3 GTR-ND
BSC028N06LS3G
SP000453652
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:BSC028N06LS3GATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:175nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 60V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
La description:MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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