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Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 350mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | BS107ARL1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
Tension drain-source (Vdss): | 200V |
La description: | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 250mA (Ta) |
Email: | [email protected] |