BS107ARL1
Modèle de produit:
BS107ARL1
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
19852 Pieces
Fiche technique:
BS107ARL1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-92-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipation de puissance (max):350mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:BS107ARL1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Tension drain-source (Vdss):200V
La description:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:250mA (Ta)
Email:[email protected]

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