Acheter BLA6H0912LS-1000U avec BYCHPS
Acheter avec garantie
BLA6H0912LS-1000U
- Modèle de produit:
- BLA6H0912LS-1000U
- Fabricant:
- Ampleon
- La description:
- RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19270 Pieces
- Fiche technique:
- BLA6H0912LS-1000U.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour BLA6H0912LS-1000U, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour BLA6H0912LS-1000U par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Tension - Test: | 50V |
|---|---|
| Tension - Nominale: | 100V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Package composant fournisseur: | SOT539B |
| Séries: | - |
| Alimentation - sortie: | 1000W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | SOT539B |
| Autres noms: | 1603-1010 934067404112 BLA6H0912LS-1000U-ND |
| Noise Figure: | - |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 13 Weeks |
| Référence fabricant: | BLA6H0912LS-1000U |
| Gain: | 15.5dB |
| La fréquence: | 1.03GHz |
| Description élargie: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 200mA 1.03GHz 15.5dB 1000W SOT539B |
| La description: | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B |
| Note actuelle: | - |
| Courant - Test: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes BLA6H0912LS-1000U
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
BLA6H0912-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A | Enquête |
 |
BLA6H0912L-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A | Enquête |
 |
MRF377HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 860MHZ NI-860C | Enquête |
 |
STAC2932B | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B | Enquête |
 |
NE5550779A-A | CEL | FET RF 30V 900MHZ 79A | Enquête |
 |
MAGX-001214-125L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 125W 1.2-1.4GHZ | Enquête |
 |
BLF7G27L-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | Enquête |
 |
BLF25M612G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | Enquête |
 |
J300 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V TO92 | Enquête |
 |
BLC8G21LS-160AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 | Enquête |
 |
BLF6G27L-50BN,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A | Enquête |
|
BLA6H1011-600,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog