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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 20V |
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Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 625mW |
Emballage: | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Noise Figure (dB Typ @ f): | 3dB @ 200MHz |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | BF959ZL1 |
Gain: | - |
Fréquence - Transition: | 700MHz |
Description élargie: | RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
La description: | TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 20mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |