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BDC01DRL1G
- Modèle de produit:
- BDC01DRL1G
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 100V 0.5A TO-92
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18003 Pieces
- Fiche technique:
- BDC01DRL1G.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 100V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 700mV @ 100mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-92 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | BDC01DRL1G |
| Fréquence - Transition: | 50MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA 50MHz 1W Through Hole TO-92 |
| La description: | TRANS NPN 100V 0.5A TO-92 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 100mA, 1V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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