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AUIRL7766M2TR
- Modèle de produit:
- AUIRL7766M2TR
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12979 Pieces
- Fiche technique:
- AUIRL7766M2TR.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 150µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ M4 |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 31A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric M4 |
| Autres noms: | SP001516036 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | AUIRL7766M2TR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5305pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ M4 |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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