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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-262 |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 75A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 300W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Autres noms: | Q10661606 SP001516116 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 11 Weeks |
Référence fabricant: | AUIRFSL4310 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 7670pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 100V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262 |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
La description: | MOSFET N-CH 100V 75A TO262 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 75A (Tc) |
Email: | [email protected] |