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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 150µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ M4 |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 65A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta), 63W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric M4 |
Autres noms: | SP001517214 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
Référence fabricant: | AUIRF7736M2TR |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4267pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 108nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 40V 22A (Ta), 108A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ M4 |
Tension drain-source (Vdss): | 40V |
La description: | MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 22A (Ta), 108A (Tc) |
Email: | [email protected] |