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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
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Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | 35 micro-X |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 600mW |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | 4-SMD (35 micro-X) |
Autres noms: | 516-1858 AT-42035G-ND |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Noise Figure (dB Typ @ f): | 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | AT-42035G |
Gain: | 10dB ~ 13.5dB |
Fréquence - Transition: | 8GHz |
Description élargie: | RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 35 micro-X |
La description: | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 35mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 80mA |
Email: | [email protected] |