APTSM120TAM33CTPAG
Modèle de produit:
APTSM120TAM33CTPAG
Fabricant:
Microsemi
La description:
POWER MODULE - SIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13503 Pieces
Fiche technique:
APTSM120TAM33CTPAG.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 3mA
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 60A, 20V
Puissance - Max:714W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Référence fabricant:APTSM120TAM33CTPAG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7680pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:408nC @ 20V
type de FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Fonction FET:Silicon Carbide (SiC)
Description élargie:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 112A (Tc) 714W Chassis Mount SP6
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
La description:POWER MODULE - SIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:112A (Tc)
Email:[email protected]

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