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APTM10DDAM19T3G
- Modèle de produit:
- APTM10DDAM19T3G
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14014 Pieces
- Fiche technique:
- 1.APTM10DDAM19T3G.pdf2.APTM10DDAM19T3G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | SP3 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| Puissance - Max: | 208W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SP3 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APTM10DDAM19T3G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Standard |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3 |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 70A |
| Email: | [email protected] |
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