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APTM100H80FT1G
- Modèle de produit:
- APTM100H80FT1G
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19643 Pieces
- Fiche technique:
- 1.APTM100H80FT1G.pdf2.APTM100H80FT1G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | SP1 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Puissance - Max: | 208W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SP1 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | APTM100H80FT1G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3876pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| type de FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Fonction FET: | Standard |
| Description élargie: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1 |
| Tension drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| La description: | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11A |
| Email: | [email protected] |
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