APT70SM70B
Modèle de produit:
APT70SM70B
Fabricant:
Microsemi
La description:
POWER MOSFET - SIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15424 Pieces
Fiche technique:
APT70SM70B.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 32.5A, 20V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Référence fabricant:APT70SM70B
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Tension drain-source (Vdss):700V
La description:POWER MOSFET - SIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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