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APT68GA60B2D40
- Modèle de produit:
- APT68GA60B2D40
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- IGBT 600V 121A 520W TO-247
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13537 Pieces
- Fiche technique:
- APT68GA60B2D40.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 40A |
| Condition de test: | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 21ns/133ns |
| énergie de commutation: | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Séries: | POWER MOS 8™ |
| Puissance - Max: | 520W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 Variant |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APT68GA60B2D40 |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | PT |
| gate charge: | 198nC |
| Description élargie: | IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole |
| La description: | IGBT 600V 121A 520W TO-247 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 202A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 121A |
| Email: | [email protected] |
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