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APT45GR65BSCD10
- Modèle de produit:
- APT45GR65BSCD10
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19115 Pieces
- Fiche technique:
- APT45GR65BSCD10.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 45A |
| Condition de test: | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 15ns/100ns |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 80ns |
| Puissance - Max: | 543W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APT45GR65BSCD10 |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | NPT |
| gate charge: | 203nC |
| Description élargie: | IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 |
| La description: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 224A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 118A |
| Email: | [email protected] |
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