AOWF9N70
AOWF9N70
Modèle de produit:
AOWF9N70
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12207 Pieces
Fiche technique:
1.AOWF9N70.pdf2.AOWF9N70.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.2 Ohm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):28W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:AOWF9N70
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1630pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 700V 9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole
Tension drain-source (Vdss):700V
La description:MOSFET N-CH 700V 9A TO262F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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