AOU4S60
AOU4S60
Modèle de produit:
AOU4S60
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13007 Pieces
Fiche technique:
1.AOU4S60.pdf2.AOU4S60.pdf3.AOU4S60.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.1V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-251-3
Séries:aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):56.8W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:AOU4S60
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:263pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 4A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 4A TO251
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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