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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-251-3 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.4 Ohm @ 1A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 56.8W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Température de fonctionnement: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
Référence fabricant: | AOU2N60 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 600V 2A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3 |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | MOSFET N-CH 600V 2A TO251 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2A (Tc) |
Email: | [email protected] |