AON6718L_101
Modèle de produit:
AON6718L_101
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14076 Pieces
Fiche technique:
AON6718L_101.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-DFN (5x6)
Séries:SRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta), 83W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:8-DFN
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:AON6718L_101
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4463pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Body)
Description élargie:N-Channel 30V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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