AON4407L_002
AON4407L_002
Modèle de produit:
AON4407L_002
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12604 Pieces
Fiche technique:
AON4407L_002.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:850mV @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-DFN (3x2)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:AON4407L_002
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 12V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN (3x2)
Tension drain-source (Vdss):12V
La description:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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